技術文章
TECHNICAL ARTICLESD6 PHASER非常適合通過粉末X射線衍射技術進行快速的晶粒尺寸分析。該分析是基于對多個晶體衍射峰的評估,通常它們會隨著晶粒尺寸變小而出現(xiàn)特征性展寬。晶體衍射峰的展寬必須與儀器自身的展寬進行分離,后者決定了晶粒尺寸的上限值。而晶粒尺寸分析的下限則是由從儀器自身背景中分離出寬的、低強度信號的能力所決定的。
D6在晶粒尺寸分析方面的優(yōu)勢
D6 PHASER在晶粒尺寸分析應用的特征優(yōu)勢包括:
◇ 優(yōu)異的2Theta角度分辨率(優(yōu)于0.03°);
◇ 高的X射線通量,得益于600W或1.2 kW高功率高壓發(fā)生器,緊湊的測角儀半徑和自動發(fā)散狹縫,以實現(xiàn)在全測量角度范圍內(nèi)X射線照射大面積的特定樣品區(qū)域;
◇ 動態(tài)光束優(yōu)化(DBO),來嚴格控制儀器的背景信號,有利于寬峰分離。
應用案例分析
這些優(yōu)勢使得D6 PHASER成為化學或制藥行業(yè)中人們研究晶粒尺寸的很好工具,而這些行業(yè)的工藝參數(shù)或材料性能與晶粒尺寸或比表面積密切相關。另一個典型的應用是Lc分析(煅燒石油焦微晶尺寸,ASTM D5187),它將衍射半峰寬與電解熔煉金屬所使用的煅燒石油焦的品質(zhì)有機地聯(lián)系起來。
▲圖1.兩張NIST SRM1979的XRD圖譜顯示了小顆粒的衍射峰展寬
通過對NIST粉末衍射線標準參考物質(zhì)SRM 1979的衍射分析(圖1),驗證了D6 PHASER用于晶體尺寸分析的強大儀器性能。該實驗在低背景硅樣品支架上制備了薄樣品層,并在圖2所示的配置中收集數(shù)據(jù),并使用DIFFRAC. TOPAS v7進行分析。峰形分析與NIST證書中描述的方法類似,其使用Pawley擬合和基本儀器參數(shù)模型從儀器峰形展寬中卷積計算出晶粒尺寸。表1展示了計算出的晶粒尺寸與證書數(shù)據(jù)的良好一致性。
對于各向同性晶粒尺寸的測定,使用DIFFRAC. EVA或DIFFRAC.TOPAS中評價單一衍射峰就足夠。后者TOPAS還可通過評估整個衍射圖譜來精修晶粒(或晶粒形狀)的取向依賴性(圖3)。
▲圖2. 動態(tài)光束優(yōu)化(DBO)的D6 PHASER,配備可變發(fā)散狹縫(VDS),電動空氣防散射屏(MASS)和高能量分辨LYNXEYE XE-T探測器。
表1. DIFFRAC.TOPAS計算出的晶粒尺寸(固定與可變發(fā)散狹縫)與NIST證書數(shù)據(jù)相比較
▲圖3.使用DIFFRAC.TOPAS分析立方金紅石(TiO2)晶粒尺寸的各向異性。晶種的x:z比約為1:2.5。
(數(shù)據(jù)采集使用D6 PHASER 1.2 kW, Cu靶,無K-beta濾片,2.5°Soller準直器,主光路可變發(fā)散狹縫(固定照射模式),電動防空氣散射屏,2Theta掃描范圍15至140°, 使用LYNXEYE XE-T探測器在高分辨率模式下掃描,總掃描時間為214秒。)
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